オムロン株式会社は、半導体テスタや高周波計測器等に使用される小型、高周波、高信頼のRF MEMSスイッチを開発し、08年9月26日より販売を開始いたします。
販売を開始するRF MEMSスイッチは、当社でこれまで十数年の量産実績のあるMEMSセンサの生産ノウハウをベースに、MEMS設計技術、高周波設計技術を活かしています。これにより、量産性および信頼性に優れ、また、世界最小クラスのMEMSチップをパッケージングすることで5.2×3.0×1.8mmの小型サイズの実現と10GHzの高周波伝送を可能にしました。
第一弾として単極双投タイプ（SPDT）を市場に投入、今後ラインナップを拡充する予定です。 <イメージ写真>

開発の背景

近年のメモリーやシステムLSIの高速化に伴い，これらを電気的に検査する半導体テスタにも高速化・低消費電力化・小型化が求められています。現在，高速の半導体テスタに使用されるRFスイッチには，高周波域において優れた高周波特性が得られるメカニカルリレーが用いられていますが，これらを実現するためにはサイズが大きい、駆動時の電力消費が大きいという課題があります。半導体テスタには１万個規模でRFスイッチを搭載する必要があり，メカニカルリレーではシステム規模が大きくなります。そのため機器設計時の制約が大きく、また総じて消費電力が大きくなりがちです。また，メカニカルリレーは開閉寿命が短く，交換頻度が高いなどの課題もあります。
市場では，高周波域で優れた高周波特性を持つ小型で開閉信頼性の高いRFスイッチが熱望されており、当社のRF MEMSスイッチは，市場要求に応えられる全く新しい発想のRFスイッチとして，より高速な半導体テスタの実現に貢献できます。

特長

小型
独自の3次元微細加工技術により、MEMSチップサイズ2.3×1.9×0.9mmを実現。この世界最小クラスのMEMSチップをパッケージングすることで5.2×3.0×1.8mm　単極双投の小型のRF MEMSスイッチを実現。
10GHz高周波伝送に対応
チップ、パッケージのトータルでの伝送線路の高周波設計を最適化することで10GHzの高周波伝送に対応。
1億回の開閉信頼性
接点形成技術とウェハレベルパッケージング技術により、1億回の開閉信頼性を達成。
低消費電力
静電アクチュエータを採用することで、10μW以下の低消費電力を実現。

主な仕様

定格（推奨値）

使用温度範囲	－20℃から＋85℃
駆動電圧	34V

仕様（参考値）

接点構成	単極双投（SPDT）
サイズ	5.2×3.0×1.8mm
特性インピーダンス	50Ω
インサーションロス	1.0dB　(10GHz)
開閉信頼性	1億回（0.5V/0.5mA 抵抗負荷）

構造

用途

半導体テスタ、高周波計測器、高周波部品

担当工場

オムロン株式会社　野洲事業場

価格

オープン価格

詳細お問い合わせ先: オムロン株式会社
エレクトロニック＆メカニカルコンポーネンツビジネスカンパニー
事業統轄本部　センシング＆モジュ-ルアプリ事業部
TEL：075-344-7148

長寿命、高集積なアプリケーションに最適な、小型、高周波、高信頼の｢RF MEMSスイッチ｣ 08年9月26日より販売を開始

長寿命、高集積なアプリケーションに最適な、小型、高周波、高信頼の｢RF MEMSスイッチ｣　08年9月26日より販売を開始