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長寿命、高集積なアプリケーションに最適な、小型、高周波、高信頼の「RF MEMSスイッチ」 08年9月26日より販売を開始

  • 2008年9月17日
  • オムロン株式会社

オムロン株式会社は、半導体テスタや高周波計測器等に使用される小型、高周波、高信頼のRF MEMSスイッチを開発し、08年9月26日より販売を開始いたします。
販売を開始するRF MEMSスイッチは、当社でこれまで十数年の量産実績のあるMEMSセンサの生産ノウハウをベースに、MEMS設計技術、高周波設計技術を活かしています。これにより、量産性および信頼性に優れ、また、世界最小クラスのMEMSチップをパッケージングすることで5.2×3.0×1.8mmの小型サイズの実現と10GHzの高周波伝送を可能にしました。
第一弾として単極双投タイプ(SPDT)を市場に投入、今後ラインナップを拡充する予定です。 <イメージ写真>

開発の背景

近年のメモリーやシステムLSIの高速化に伴い,これらを電気的に検査する半導体テスタにも高速化・低消費電力化・小型化が求められています。現在,高速の半導体テスタに使用されるRFスイッチには,高周波域において優れた高周波特性が得られるメカニカルリレーが用いられていますが,これらを実現するためにはサイズが大きい、駆動時の電力消費が大きいという課題があります。半導体テスタには1万個規模でRFスイッチを搭載する必要があり,メカニカルリレーではシステム規模が大きくなります。そのため機器設計時の制約が大きく、また総じて消費電力が大きくなりがちです。また,メカニカルリレーは開閉寿命が短く,交換頻度が高いなどの課題もあります。
市場では,高周波域で優れた高周波特性を持つ小型で開閉信頼性の高いRFスイッチが熱望されており、当社のRF MEMSスイッチは,市場要求に応えられる全く新しい発想のRFスイッチとして,より高速な半導体テスタの実現に貢献できます。

特長

  1. 小型
    独自の3次元微細加工技術により、MEMSチップサイズ2.3×1.9×0.9mmを実現。この世界最小クラスのMEMSチップをパッケージングすることで5.2×3.0×1.8mm 単極双投の小型のRF MEMSスイッチを実現。
  2. 10GHz高周波伝送に対応
    チップ、パッケージのトータルでの伝送線路の高周波設計を最適化することで10GHzの高周波伝送に対応。
  3. 1億回の開閉信頼性
    接点形成技術とウェハレベルパッケージング技術により、1億回の開閉信頼性を達成。
  4. 低消費電力
    静電アクチュエータを採用することで、10μW以下の低消費電力を実現。

主な仕様

定格(推奨値)

使用温度範囲

-20℃から+85℃

駆動電圧

34V


仕様(参考値)

接点構成

単極双投(SPDT)

サイズ

5.2×3.0×1.8mm

特性インピーダンス

50Ω

インサーションロス

1.0dB (10GHz)

開閉信頼性

1億回(0.5V/0.5mA 抵抗負荷 )

構造

構造

用途

半導体テスタ、高周波計測器、高周波部品

担当工場

オムロン株式会社 野洲事業場

価格

オープン価格
詳細お問い合わせ先
オムロン株式会社
エレクトロニック&メカニカルコンポーネンツビジネスカンパニー
事業統轄本部 センシング&モジュ-ルアプリ事業部
TEL:075-344-7148

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